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| Buchstabe | 1.Element | 2.Element | 3.Element | Kennzahl |
| Halbleitermaterial | Bauelement | Kommerzielle Typen mit engeren Toleranzen | Laufende Nummerierung (höhere Nummer entspricht modernerer Entwicklung) | |
| A | Germanium | Diode | Halbleiterbauelemente der
Unterhaltungselektronik haben eine dreistellige Kennzahl
Kommerzielle Halbleiterbauelemente verwenden eine zweistellige Kennzahl |
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| B | Silizium | Kapazitätsdiode | ||
| C | lichtemittierende Materialien | NF-Transistor | ||
| D | NF-Leistungstransistor (Ptot>1W) | |||
| E | Tunneldiode | |||
| F | HF-Transistor | |||
| G | DDR, CSSR: Germanium | |||
| H | Hall-Feldsonde | |||
| K | CSSR: Silizium | Hall-Generator | ||
| L | CSSR: Galliumarsenidphosphid | HF-Leistungstransistor | ||
| M | Hall-Generator DDR: MIS-Transistor |
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| P | strahlungsempfindliches (lichtempfindliches) Bauelement | |||
| Q | lichtemittierendes Bauelement | |||
| R | Halbleiter mit Durchbruchkennlinie für Schalt- und Steuerzwecke | |||
| S | DDR: Silizium | Schalttransistor | ||
| T | Leistungshalbleiter mit Durchbruchkennlinie für Schalt- und Steuerzwecke | |||
| U | Leistungsschalttransitor | |||
| V | DDR: Galliumarsenidphosphid | Leistungsdiode | ||
| X | X | |||
| Y | X | |||
| Z | Z-Diode | X |
letzte Änderung dieser Seite: 28. Dezember 2008 |
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